【电报解读】最高扩产5倍！罗姆、东芝等加码碳化硅布局，这家公

【电报解读】最高扩产5倍！罗姆、东芝等加码碳化硅布局，这家公司细分产品市占率全球第三

据悉，日本电子和材料制造商Resonac将在2026年前把用于功率半导体的碳化硅外延片产能提高到每月5万片，达到目前水平的5倍，该元件可扩大电动汽车的续航里程。

近期多家日本企业加快碳化硅布局，罗姆已在福冈县主力基地正式启动新厂，该厂为日本国内首座专门生产碳化硅功率半导体的工厂；该公司目标到2025财年（截至2026年3月），把全球份额从目前的1成左右提高到3成，目标是份额位居第1。另外，富士电机长野县厂2022年已开始生产EV用碳化硅功率半导体产品，还计划2024年开始在青森县的津轻工厂量产碳化硅功率半导体。东芝面向EV及工业设备等不断扩充碳化硅产品线，公司已与国内外的汽车厂商就用于EV展开协商。

一、国内碳化硅衬底发展提速明显

第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。

目前，碳化硅产业中衬底仍以4-6英寸为主。若将尺寸由6英寸提高至8英寸，SiC的单片面积将增大77.8%，可利用面积大大提高。大直径衬底能够有效降低器件制备成本，以直径 6英寸衬底为例，使用直径 6英寸衬底相对直径 4英寸衬底能够节省大约 30%的器件制备成本。

国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近年来发展提速明显。截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。

二、衬底成为碳化硅大规模产业化的主要驱动力

新财富上榜分析师、海通证券余伟民研报指出，在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、前段分别占比47%、23%、19%。衬底是碳化硅产业链的核心环节，衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。 据方正证券测算，2026年全球碳化硅衬底有效产能为330万片，距同年629万片的衬底需求量仍有较大差距，供应缺口近1倍。

三、相关上市公司：天岳先进、扬杰科技

天岳先进：在全球半绝缘型碳化硅衬底领域市场份额全球排名第三，主要产品是4英寸半绝缘型碳化硅衬底，6英寸半绝缘型和6英寸导电型衬底已形成小批量销售，公司已通过车规级IATF16949体系认证的现场审核，华为旗下的哈勃投资、宁德时代及广汽、小鹏等企业均出现在天岳先进的IPO战略投资者名单中。
扬杰科技：在碳化硅业务板块，公司已组建高素质的研发团队，具备较强的研发设计能力，目前公司碳化硅产品已实现批量生产与销售。